دانلود آنی
چکیده آموزش
امروزه با پیشرفت فناوری و گسترش آن در جهان پیرامون بشر، علم الکترونیک یکی از پیشگامان این عرصه است. در سال های اخیر، الکترونیک، پیشرفت بسیار سریع و گسترده ای در همه ابعاد داشته و این سیر و تحول همچنان با سرعت بالایی ادامه دارد.
یکی از مثال های عینی آن، مدارات مجتمع به کار برده شده در وسایل الکترونیکی ارتباطات جمعی مانند: تلفن همراه، تلویزیون و… است که ابعاد این لوازم را به شدت کاهش داده است، اما مدارات مجتمع در فناوری های با ابعاد مختلف طراحی می شوند که یکی از ابزار طراحی مدارات مجتمع، نرم افزار کیدنس (Cadence) می تواند باشد.
طراحی مدارات مجتمع به دلیل استفاده کردن از تکنولوژی سیماس (CMOS) در حد نانومتر در داخل آن ها، کاری بس دشوار برای مهندسان الکترونیک در مقاطع تحصیلات تکمیلی است، چرا که وابسته بودن نقطه کار ترانزیستورهای ماسفت (MOSFET) به ولتاژ بایاس گیت سورس و طول و عرض ترانزیستور، موجب سردرگمی طراحان مدار می گردد، ولی روش Gm / Id این محدودیت را به شدت کاهش می دهد تا طراحان مدار با استفاده از این روش بتوانند وابستگی به یک یا دو پارامتر ذکر شده از بین برود، اما به کار بردن این روش در نرم افزار کیدنس، مهارت خاص خود را دارد که در این فرادرس، درباره آن آموزش داده ایم.
فهرست سرفصل ها و رئوس مطالب مطرح شده در این مجموعه آموزشی، در ادامه آمده است:
- درس یکم: معادله Gm / Id
- معادله جریان برحسب ولتاژ بایاس در ماسفت (MOSFET)
- بررسی وابستگی نقطه کار به پارامترهای طراحی
- معادله Gm / Id و ساده سازی آن
- پارامترهای استخراج شده از Gm/Id
- معرفی پارامتر gm*ro
- کاربرد روش Gm / Id
- درس دوم: به کار بردن روش Gm / Id در نرم افزار کیدنس (Cadence)
- یادگیری به صورت شبیه سازی جزیی (ترانزیستور واحد)
- درس سوم: نتیجه گیری
- مثال هایی از طراحی مدار با استفاده از Gm / Id
- طراحی یک تقویت کننده کم نویز (LNA)
- طراحی یک سلول هدایت انتقالی (Gm – Cell)
مفید برای رشته های
- مهندسی برق
مشاهده آنلاین و یا دانلود رایگان این پیش نمایش، نیازمند 
نظر شما در مورد این فرادرس چیست؟