آموزش فیزیک الکترونیک - بخش دوم
آموزش فیزیک الکترونیک - بخش دوم
چکیده
در این فرادرس سعی شده است که با استفاده از مفاهیم ارائه شده در فیزیک الکترونیک - بخش اول، نحوه عملکرد دیوایس های الکترونیکی و نحوه ساخت آن ها مورد بررسی قرار بگیرد. در این درس نیز مانند درس فیزیک الکترونیک مقدماتی، رویکردی مفهومی در نظر گرفته شده است تا دانشجو بتواند ضمن درک فیزیک حاکم بر دیوایس، معادلات را استخراج نماید. فراگیری این درس مهارت دانشجویان در طراحی مدارات و سیستم های الکترونیکی و مخابراتی را تا حد قابل ملاحظه ای بالا می برد، چرا که به صورت کامل بر عملکرد این سیستم ها احاطه پیدا می کنند. امروزه علم الکترونیک را می توان در ترانزیستورها و پیوندهای PN خلاصه کرد.
چکیده آموزش
توضیحات تکمیلی
در این فرادرس سعی شده است که با استفاده از مفاهیم ارائه شده در فیزیک الکترونیک - بخش اول، نحوه عملکرد دیوایس های الکترونیکی و نحوه ساخت آن ها مورد بررسی قرار بگیرد. در این درس نیز مانند درس فیزیک الکترونیک مقدماتی، رویکردی مفهومی در نظر گرفته شده است تا دانشجو بتواند ضمن درک فیزیک حاکم بر دیوایس، معادلات را استخراج نماید.
فراگیری این درس مهارت دانشجویان در طراحی مدارات و سیستم های الکترونیکی و مخابراتی را تا حد قابل ملاحظه ای بالا می برد، چرا که به صورت کامل بر عملکرد این سیستم ها احاطه پیدا می کنند. امروزه علم الکترونیک را می توان در ترانزیستورها و پیوندهای PN خلاصه کرد. دلیل اهمیت این قطعات، توانایی است که آن ها به بشر دادند تا ریاضیات و کاربردهای آن را به صورت سخت افزاری پیاده سازی کند.
یکی دیگر از عوامل مهم گسترش این قطعات، قابلیت استفاده از آن ها به عنوان المان های مداری دیگر، از جمله: مقاومت و خازن است. کاربرد بسیار مهم دیگر این قطعات و مواد نیمه هادی در طراحی انواع حسگرها است. امروزه حسگرهای گازی، نوری، ارتعاشی و… با استفاده از این مواد و قطعات ساخته می شود. سلول های خورشیدی دیگر کاربرد مهم این قطعات است که امروزه نقش بسزایی در تامین انرژی مورد نیاز بشر دارند.
فهرست سرفصل ها و رئوس مطالب مطرح شده در این مجموعه آموزشی، در ادامه آمده است:
- درس یکم: دیودهای پیوندی PN - بخش یکم
- دیودهای پیوندی
- یک سوسازها
- دیودهای سوییچ کننده
- دیود شکستی
- دیود با ظرفیت متغیر، ورکتور (Varactor)
- دیودهای تونلی
- نیمه رسانا های تبهگن، Degenerate
- عملکرد دیود تونلی
- کاربردهای مداری
- دیودهای نوری
- دیودهای پیوندی
- درس دوم: دیودهای پیوندی PN - بخش دوم
- جریان و ولتاژ در یک پیوند نور تابیده
- سلول های خورشیدی
- آشکارسازهای نوری
- نویز و پهنای باند آشکارسازهای نوری
- دیودهای نورافشان و لیزرها
- مواد نورافشان
- مخابرات نوری
- پیوندهای ناهمگون چندلایه برای دیودهای نورافشان
- تقویت و سوییچ کردن (مدل های کارکرد BJT)
- خط بار
- تقویت
- سوییچ کردن
- درس سوم: ترانزیستور دوقطبی پیوندی - بخش یکم
- مبانی عملکردی ترانزیستور پیوندی دوقطبی (BJT)
- انتقال بار در یک BJT
- تقویت با BJT
- ساخت BJT
- توزیع بارهای اقلیت و جریان پایه های ترانزیستور
- حل معادله نفوذ در منطقه بیس (Base)
- مبانی عملکردی ترانزیستور پیوندی دوقطبی (BJT)
- درس چهارم: ترانزیستور دوقطبی پیوندی - بخش دوم
- محاسبه جریان پایه های ترانزیستور
- تقریب جریان پایه های ترانزیستور
- نسبت انتقال جریان
-
- گرایش در حالت کلی (مدار معادل)
- مدل دیود جفت شده
- تحلیل کنترل بار
- گرایش در حالت کلی (مدار معادل)
- درس پنجم: ترانزیستور دوقطبی پیوندی - بخش سوم
- کلید زنی - سوییچ کردن
- قطع
- اشباع
- چرخه قطع و وصل
- حالت گذرای وصل
- حالت گذرای قطع
- دیود شاتکی کران بند
- مشخصات ترانزیستورهای سوییچ کننده
- آثار ثانویه (اثرات غیرایده آل)
- رانش در ناحیه بیس
- باریک شدن بیس
- شکست بهمنی
- سطح تزریق، آثار گرمایی
- مقاومت بیس و تجمع در امیتر (Emitter)
- کلید زنی - سوییچ کردن
- درس ششم: ترانزیستور دوقطبی پیوندی - بخش چهارم
- محدودیت های فرکانسی ترانزیستورها
- ظرفیت و زمان های شارژ
- اثر زمان گذر
- ترانزیستورهای فرکانس بالا
- ترانزیستورهای دوقطبی با پیوند ناهمگون
- محدودیت های فرکانسی ترانزیستورها
- درس هفتم: ترانزیستورهای اثر میدانی - بخش یکم
- ترانزیستورهای اثر میدانی پیوندی (خانواده های FET)
- تنگش و اشباع
- کنترل گیت
- مشخصه جریان ولتاژ
- ترانزیستورهای اثر میدانی فلز نیمه رسانا
- ترانزیستورهای اثر میدانی فلز نیمه رسانای گالیم آرسناید (Gallium Arsenide)
- ترانزیستورهای با تحرک الکترونی زیاد (HEMT)
- ترانزیستورهای اثر میدانی پیوندی (خانواده های FET)
- درس هشتم: ترانزیستورهای اثر میدانی - بخش دوم
- آثار کانال کوتاه
-
- ترانزیستورهای اثر میدانی فلز - عایق - نیمه رسانا
- اصول عملکرد
- ترانزیستورهای اثر میدانی فلز - عایق - نیمه رسانا
- درس نهم: ترانزیستورهای اثر میدانی - بخش سوم
- خازن فلز - عایق - نیمه رسانای ایده آل (خازن فلز اکسید نیمه هادی)
- آثار سطوح واقعی
- ولتاژ آستانه
- ترانزیستورهای اثر میدانی فلز - عایق - نیمه رسانا (MOSFET)
- درس دهم: ترانزیستورهای اثر میدانی - بخش چهارم
- کنترل ولتاژ آستانه
- اثر گرایش بستر
- آثار ظرفیتی و ترانزیستورهای خود هم راستا
- آثار کانال کوتاه
- مکانیزم های سوییچ کردن (دیود چهار لایه)
- درس یازدهم: قطعات سوییچ کننده PNPN (ادوات قدرت)
- دیود PNPN
- قیاس دوترانزیستوری
- مدار
- تغییر آلفا با تزریق
- حالت سدکنندگی مستقیم
- حالت هدایت کنندگی
- مکانیزم های راه اندازی
- یک سوساز نیمه هادی کنترل شونده (SCR)
- کنترل گیت
- خاموش کردن SCR
- قطعات دوطرفه
- ساخت و کاربردها
- تریاک (Triac)
- ترانزیستور دوطبی با گیت ایزوله (IGBT)
مفید برای رشته های
- مهندسی برق
آنچه در این آموزش خواهید دید:
پیش نمایش‌ها
۱.
دیودهای پیوندی PN - بخش یکم
توجه: اگر به خاطر سرعت اینترنت، کیفیت نمایش پایین‌تر از کیفیت HD ویدئو اصلی باشد؛ می‌توانید ویدئو را دانلود و مشاهده کنید (دانلود پیش‌نمایش - حجم: ۱۵ مگابایت -- (کلیک کنید +))
۲.
دیودهای پیوندی PN - بخش دوم
توجه: اگر به خاطر سرعت اینترنت، کیفیت نمایش پایین‌تر از کیفیت HD ویدئو اصلی باشد؛ می‌توانید ویدئو را دانلود و مشاهده کنید (دانلود پیش‌نمایش - حجم: ۱۲ مگابایت -- (کلیک کنید +))
۳.
ترانزیستور دوقطبی پیوندی - بخش یکم
توجه: اگر به خاطر سرعت اینترنت، کیفیت نمایش پایین‌تر از کیفیت HD ویدئو اصلی باشد؛ می‌توانید ویدئو را دانلود و مشاهده کنید (دانلود پیش‌نمایش - حجم: ۶۰ مگابایت -- (کلیک کنید +))
۴.
ترانزیستور دوقطبی پیوندی - بخش دوم
توجه: اگر به خاطر سرعت اینترنت، کیفیت نمایش پایین‌تر از کیفیت HD ویدئو اصلی باشد؛ می‌توانید ویدئو را دانلود و مشاهده کنید (دانلود پیش‌نمایش - حجم: ۹ مگابایت -- (کلیک کنید +))
۵.
ترانزیستور دوقطبی پیوندی - بخش سوم
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
۶.
ترانزیستور دوقطبی پیوندی - بخش چهارم
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
۷.
ترانزیستورهای اثر میدانی - بخش یکم
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
۸.
ترانزیستورهای اثر میدانی - بخش دوم
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
۹.
ترانزیستورهای اثر میدانی - بخش سوم
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
۱۰.
ترانزیستورهای اثر میدانی - بخش چهارم
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
۱۱.
قطعات سوییچ کننده PNPN (ادوات قدرت)
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.راهنمای سفارش آموزش‌ها
در مورد این آموزش یا نحوه تهیه آن سوالی دارید؟
- با شماره تلفن واحد مخاطبین ۵۷۹۱۶۰۰۰ (پیش شماره ۰۲۱) تماس بگیرید. - تمام ساعات اداری
- با ما مکاتبه ایمیلی داشته باشید (این لینک). - میانگین زمان پاسخ دهی: ۳۰ دقیقه
اطلاعات تکمیلی
| نام آموزش | آموزش فیزیک الکترونیک - بخش دوم |
|---|---|
| ناشر | فرادرس |
| شناسه اثر | ۸–۱۲۴۵۲–۰۷۴۹۱۵ (ثبت شده در مرکز رسانه‌های دیجیتال وزارت ارشاد) |
| کد آموزش | FVTIEE124 |
| مدت زمان | ۱۱ ساعت و ۱۳ دقیقه |
| زبان | فارسی |
| نوع آموزش | آموزش ویدیویی (لینک دانلود) |
| حجم دانلود | ۵۱۸ مگابایت (کیفیت ویدئو HD با فشرده سازی انحصاری فرادرس) |
نظرات