۱۵۰,۰۰۰ تومان

آموزش فیزیک الکترونیک - بخش دوم

آموزش فیزیک الکترونیک - بخش دوم

هزینه آموزش
۱۵۰,۰۰۰ تومان

تعداد دانشجو
۳۱۳ نفر
مدت زمان
۱۱ ساعت و ۱۳ دقیقه
محتوای این آموزش
تضمین کیفیت
۱ بازخورد (مشاهده نظرات)

در این فرادرس سعی شده است که با استفاده از مفاهیم ارائه شده در فیزیک الکترونیک - بخش اول، نحوه عملکرد دیوایس های الکترونیکی و نحوه ساخت آن ها مورد بررسی قرار بگیرد. در این درس نیز مانند درس فیزیک الکترونیک مقدماتی، رویکردی مفهومی در نظر گرفته شده است تا دانشجو بتواند ضمن درک فیزیک حاکم بر دیوایس، معادلات را استخراج نماید. فراگیری این درس مهارت دانشجویان در طراحی مدارات و سیستم های الکترونیکی و مخابراتی را تا حد قابل ملاحظه ای بالا می برد، چرا که به صورت کامل بر عملکرد این سیستم ها احاطه پیدا می کنند. امروزه علم الکترونیک را می توان در ترانزیستورها و پیوندهای PN خلاصه کرد.

آموزش فیزیک الکترونیک - بخش دوم

تعداد دانشجو
۳۱۳ نفر
مدت زمان
۱۱ ساعت و ۱۳ دقیقه
هزینه آموزش
۱۵۰,۰۰۰ تومان
محتوای این آموزش
۱ بازخورد (مشاهده نظرات)

سجاد وردست

دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق - میکرو و نانو الکترونیک

سجاد وردست در حال حاضر دانشجوی مقطع کارشناسی ارشد مهندسی برق در گرایش میکرو و نانو الکترونیک دانشگاه صنعتی شریف هستند. ایشان دارای سابقه تدریس در مقاطع مختلف کارشناسی ارشد، کارشناسی و دروس دبیرستانی می باشند.

توضیحات تکمیلی

در این فرادرس سعی شده است که با استفاده از مفاهیم ارائه شده در فیزیک الکترونیک - بخش اول، نحوه عملکرد دیوایس های الکترونیکی و نحوه ساخت آن ها مورد بررسی قرار بگیرد. در این درس نیز مانند درس فیزیک الکترونیک مقدماتی، رویکردی مفهومی در نظر گرفته شده است تا دانشجو بتواند ضمن درک فیزیک حاکم بر دیوایس، معادلات را استخراج نماید.

فراگیری این درس مهارت دانشجویان در طراحی مدارات و سیستم های الکترونیکی و مخابراتی را تا حد قابل ملاحظه ای بالا می برد، چرا که به صورت کامل بر عملکرد این سیستم ها احاطه پیدا می کنند. امروزه علم الکترونیک را می توان در ترانزیستورها و پیوندهای PN خلاصه کرد. دلیل اهمیت این قطعات، توانایی است که آن ها به بشر دادند تا ریاضیات و کاربردهای آن را به صورت سخت افزاری پیاده سازی کند.

یکی دیگر از عوامل مهم گسترش این قطعات، قابلیت استفاده از آن ها به عنوان المان های مداری دیگر، از جمله: مقاومت و خازن است. کاربرد بسیار مهم دیگر این قطعات و مواد نیمه هادی در طراحی انواع حسگرها است. امروزه حسگرهای گازی، نوری، ارتعاشی و… با استفاده از این مواد و قطعات ساخته می شود. سلول های خورشیدی دیگر کاربرد مهم این قطعات است که امروزه نقش بسزایی در تامین انرژی مورد نیاز بشر دارند.

 

فهرست سرفصل‌ها و رئوس مطالب مطرح شده در اين مجموعه آموزشی، در ادامه آمده است:
  • درس یکم: دیودهای پیوندی PN - بخش یکم
    • دیودهای پیوندی
      • یک سوسازها
      • دیودهای سوییچ کننده
      • دیود شکستی
      • دیود با ظرفیت متغیر، ورکتور (Varactor)
    • دیودهای تونلی
      • نیمه رسانا های تبهگن، Degenerate
      • عملکرد دیود تونلی
      • کاربردهای مداری
      • دیودهای نوری
  • درس دوم: دیودهای پیوندی PN - بخش دوم
    • جریان و ولتاژ در یک پیوند نور تابیده
    • سلول های خورشیدی
    • آشکارسازهای نوری
    • نویز و پهنای باند آشکارسازهای نوری
    • دیودهای نورافشان و لیزرها
      • مواد نورافشان
      • مخابرات نوری
      • پیوندهای ناهمگون چندلایه برای دیودهای نورافشان
    • تقویت و سوییچ کردن (مدل های کارکرد BJT)
      • خط بار
      • تقویت
      • سوییچ کردن
  • درس سوم: ترانزیستور دوقطبی پیوندی - بخش یکم
    • مبانی عملکردی ترانزیستور پیوندی دوقطبی (BJT)
      • انتقال بار در یک BJT
      • تقویت با BJT
      • ساخت BJT
    • توزیع بارهای اقلیت و جریان پایه های ترانزیستور
      • حل معادله نفوذ در منطقه بیس (Base)
  • درس چهارم: ترانزیستور دوقطبی پیوندی - بخش دوم
    • محاسبه جریان پایه های ترانزیستور
    • تقریب جریان پایه های ترانزیستور
    • نسبت انتقال جریان
    • گرایش در حالت کلی (مدار معادل)
      • مدل دیود جفت شده
      • تحلیل کنترل بار
  • درس پنجم: ترانزیستور دوقطبی پیوندی - بخش سوم
    • کلید زنی - سوییچ کردن
      • قطع
      • اشباع
      • چرخه قطع و وصل
      • حالت گذرای وصل
      • حالت گذرای قطع
      • دیود شاتکی کران بند
      • مشخصات ترانزیستورهای سوییچ کننده
    • آثار ثانویه (اثرات غیرایده آل)
      • رانش در ناحیه بیس
      • باریک شدن بیس
      • شکست بهمنی
      • سطح تزریق، آثار گرمایی
      • مقاومت بیس و تجمع در امیتر (Emitter)
  • درس ششم: ترانزیستور دوقطبی پیوندی - بخش چهارم
    • محدودیت های فرکانسی ترانزیستورها
      • ظرفیت و زمان های شارژ
      • اثر زمان گذر
      • ترانزیستورهای فرکانس بالا
      • ترانزیستورهای دوقطبی با پیوند ناهمگون
  • درس هفتم: ترانزیستورهای اثر میدانی - بخش یکم
    • ترانزیستورهای اثر میدانی پیوندی (خانواده های FET)
      • تنگش و اشباع
      • کنترل گیت
      • مشخصه جریان ولتاژ
    • ترانزیستورهای اثر میدانی فلز نیمه رسانا
      • ترانزیستورهای اثر میدانی فلز نیمه رسانای گالیم آرسناید (Gallium Arsenide)
      • ترانزیستورهای با تحرک الکترونی زیاد (HEMT)
  • درس هشتم: ترانزیستورهای اثر میدانی - بخش دوم
    • آثار کانال کوتاه
    • ترانزیستورهای اثر میدانی فلز - عایق - نیمه رسانا
      • اصول عملکرد
  • درس نهم: ترانزیستورهای اثر میدانی - بخش سوم
    • خازن فلز - عایق - نیمه رسانای ایده آل (خازن فلز اکسید نیمه هادی)
    • آثار سطوح واقعی
    • ولتاژ آستانه
    • ترانزیستورهای اثر میدانی فلز - عایق - نیمه رسانا (MOSFET)
  • درس دهم: ترانزیستورهای اثر میدانی - بخش چهارم
    • کنترل ولتاژ آستانه
    • اثر گرایش بستر
    • آثار ظرفیتی و ترانزیستورهای خود هم راستا
    • آثار کانال کوتاه
    • مکانیزم های سوییچ کردن (دیود چهار لایه)
  • درس یازدهم: قطعات سوییچ کننده PNPN (ادوات قدرت)
    • دیود PNPN
    • قیاس دوترانزیستوری
    • مدار
    • تغییر آلفا با تزریق
    • حالت سدکنندگی مستقیم
    • حالت هدایت کنندگی
    • مکانیزم های راه اندازی
    • یک سوساز نیمه هادی کنترل شونده (SCR)
      • کنترل گیت
      • خاموش کردن SCR
      • قطعات دوطرفه
      • ساخت و کاربردها
    • تریاک (Triac)
    • ترانزیستور دوطبی با گیت ایزوله (IGBT)
مفید برای
  • مهندسی برق

پیش نیاز


آنچه در این آموزش خواهید دید:

آموزش ویدئویی مورد تائید فرادرس
فایل PDF یادداشت‌ های ارائه مدرس


پیش نمایش‌ها

۱. دیودهای پیوندی PN - بخش یکم
۲. دیودهای پیوندی PN - بخش دوم
۳. ترانزیستور دوقطبی پیوندی - بخش یکم
۴. ترانزیستور دوقطبی پیوندی - بخش دوم
۵. ترانزیستور دوقطبی پیوندی - بخش سوم
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
۶. ترانزیستور دوقطبی پیوندی - بخش چهارم
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
۷. ترانزیستورهای اثر میدانی - بخش یکم
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
۸. ترانزیستورهای اثر میدانی - بخش دوم
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
۹. ترانزیستورهای اثر میدانی - بخش سوم
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
۱۰. ترانزیستورهای اثر میدانی - بخش چهارم
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
۱۱. قطعات سوییچ کننده PNPN (ادوات قدرت)
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
این آموزش شامل ۱۲ جلسه ویدئویی با مجموع ۱۱ ساعت و ۱۳ دقیقه است.
با تهیه این آموزش، می‌توانید به همه بخش‌ها و جلسات آن، دسترسی داشته باشید.

راهنمای سفارش آموزش‌ها

آیا می دانید که تهیه یک آموزش از فرادرس و شروع یادگیری چقدر ساده است؟

(راهنمایی بیشتر +)

در مورد این آموزش یا نحوه تهیه آن سوالی دارید؟
  • با شماره تلفن واحد مخاطبین ۵۷۹۱۶۰۰۰ (پیش شماره ۰۲۱) تماس بگیرید. - تمام ساعات اداری
  • با ما مکاتبه ایمیلی داشته باشید (این لینک). - میانگین زمان پاسخ دهی: ۳۰ دقیقه


اطلاعات تکمیلی

نام آموزش آموزش فیزیک الکترونیک - بخش دوم
ناشر فرادرس
شناسه اثر ۸–۱۲۴۵۲–۰۷۴۹۱۵ (ثبت شده در مرکز رسانه‌های دیجیتال وزارت ارشاد)
کد آموزش FVTIEE124
مدت زمان ۱۱ ساعت و ۱۳ دقیقه
زبان فارسی
نوع آموزش آموزش ویدئویی (نمایش آنلاین + دانلود)
حجم دانلود ۷۸۲ مگابایت (کیفیت ویدئو HD با فشرده سازی انحصاری فرادرس)


تضمین کیفیت و گارانتی بازگشت هزینه
توجه: کیفیت این آموزش توسط فرادرس تضمین شده است. در صورت عدم رضایت از آموزش، به انتخاب شما:
  • ۱۰۰ درصد مبلغ پرداختی در حساب کاربری شما شارژ می‌شود.
  • و یا ۷۰ درصد مبلغ پرداختی به حساب بانکی شما بازگشت داده می‌شود.
آموزش‌های مرتبط با آموزش فیزیک الکترونیک - بخش دوم




نظرات

تا کنون ۳۱۳ نفر از این آموزش استفاده کرده اند و ۱ نظر ثبت شده است.
احمد
احمد
۱۴۰۰/۱۱/۰۷

سلام
مدرس بیان خیلی قویی و گیرایی دارن تسلط خیلی خوبی روی موضوعات دارن و بسیار با دقت مطالب توضیح میدن
جای تقدیر و تشکر داره از مجموعه فرادرس

برچسب‌ها:
BJT | Crystallography | Degenerate | Dipole transistor | Gallium arsenide | HEMT | IGBT | Industrial electronics | MOSFET transistor | MOSFET transistor | PN bonding | PN bonding | PN bonding | PN bonding | PNPN | PNPN | PNPN | PNPN | Power electronics | Power electronics | Power electronics | Power electronics | TRIAC | TRIAC | TRIAC | TRIAC | Varactor | Varactor | Varactor | Varactor | آثار گرمایی | آثار گرمایی | آثار گرمایی | آثار گرمایی | آشکار سازهای نوری | آشکار سازهای نوری | آشکار سازهای نوری | آشکار سازهای نوری | اثر گرایش بستر | اثر گرایش بستر | اثر گرایش بستر | اثر گرایش بستر | الکترونیک صنعتی | الکترونیک صنعتی | الکترونیک صنعتی | الکترونیک صنعتی | الکترونیک قدرت | الکترونیک قدرت | الکترونیک قدرت | الکترونیک قدرت | المان های مداری | المان های مداری | المان های مداری | المان های مداری | انتقال بار در یک BJT | انتقال بار در یک BJT | انتقال بار در یک BJT | انتقال بار در یک BJT | باریک شدن بیس | باریک شدن بیس | باریک شدن بیس | باریک شدن بیس | پیوند PN | پیوند PN | پیوند PN | پیوند PN | پیوند های PN | پیوند های PN | پیوند های PN | پیوند های PN | ترانزیستور پیوندی دو قطبی | ترانزیستور پیوندی دو قطبی | ترانزیستور پیوندی دو قطبی | ترانزیستور پیوندی دو قطبی | ترانزیستور دو قطبی | ترانزیستور دو قطبی | ترانزیستور دو قطبی | ترانزیستور دو قطبی | ترانزیستور ماسفت | ترانزیستور ماسفت | ترانزیستور ماسفت | ترانزیستور ماسفت | ترانزیستورها | ترانزیستورها | ترانزیستورها | ترانزیستورها | ترانزیستورهای با تحرک الکترونی زیاد | ترانزیستورهای با تحرک الکترونی زیاد | ترانزیستورهای با تحرک الکترونی زیاد | ترانزیستورهای با تحرک الکترونی زیاد | ترانزیستورهای پیوندی دوقطبی | ترانزیستورهای پیوندی دوقطبی | ترانزیستورهای پیوندی دوقطبی | ترانزیستورهای پیوندی دوقطبی | ترانزیستورهای فرکانس بالا | ترانزیستورهای فرکانس بالا | ترانزیستورهای فرکانس بالا | ترانزیستورهای فرکانس بالا | تریاک | تریاک | تریاک | تریاک | تقریب جریان پایه ترانزیستور | تقریب جریان پایه ترانزیستور | تقریب جریان پایه ترانزیستور | تقریب جریان پایه ترانزیستور | تقویت | تقویت | تقویت | تقویت | تنگش و اشباع | تنگش و اشباع | تنگش و اشباع | تنگش و اشباع | حسگرهای ارتعاشی | حسگرهای ارتعاشی | حسگرهای ارتعاشی | حسگرهای ارتعاشی | حسگرهای گازی | حسگرهای گازی | حسگرهای گازی | حسگرهای گازی | حسگرهای نوری | حسگرهای نوری | حسگرهای نوری | حسگرهای نوری | خازن | خازن | خازن | خازن | خاموش کردن SCR | خاموش کردن SCR | خاموش کردن SCR | خاموش کردن SCR | خط بار | خط بار | خط بار | خط بار | دیوایس های الکترونیکی | دیوایس های الکترونیکی | دیوایس های الکترونیکی | دیوایس های الکترونیکی | دیود PNPN | دیود PNPN | دیود PNPN | دیود PNPN | دیود با ظرفیت متغیر | دیود با ظرفیت متغیر | دیود با ظرفیت متغیر | دیود با ظرفیت متغیر | دیود شاتکی کران بند | دیود شاتکی کران بند | دیود شاتکی کران بند | دیود شاتکی کران بند | دیود شکستی | دیود شکستی | دیود شکستی | دیود شکستی | دیود های پیوندی PN | دیود های پیوندی PN | دیود های پیوندی PN | دیود های پیوندی PN | دیودهای پیوندی | دیودهای پیوندی | دیودهای پیوندی | دیودهای پیوندی | دیودهای تونلی | دیودهای تونلی | دیودهای تونلی | دیودهای تونلی | دیودهای سوییچ کننده | دیودهای سوییچ کننده | دیودهای سوییچ کننده | دیودهای سوییچ کننده | دیودهای نور افشان و لیزرها | دیودهای نور افشان و لیزرها | دیودهای نور افشان و لیزرها | دیودهای نور افشان و لیزرها | دیودهای نوری | دیودهای نوری | دیودهای نوری | دیودهای نوری | رانش در ناحیه بیس | رانش در ناحیه بیس | رانش در ناحیه بیس | رانش در ناحیه بیس | سطح تزریق | سطح تزریق | سطح تزریق | سطح تزریق | سلول های خورشیدی | سلول های خورشیدی | سلول های خورشیدی | سلول های خورشیدی | سوییچ کردن | سوییچ کردن | سوییچ کردن | سوییچ کردن | سیستم های الکترونیکی | سیستم های الکترونیکی | سیستم های الکترونیکی | سیستم های الکترونیکی | سیستم های مخابراتی | سیستم های مخابراتی | سیستم های مخابراتی | سیستم های مخابراتی | شکست بهمنی | شکست بهمنی | شکست بهمنی | شکست بهمنی | طراحی مدار | طراحی مدار | طراحی مدار | طراحی مدار | علم الکترونیک | علم الکترونیک | علم الکترونیک | علم الکترونیک | عملکرد دیود تونلی | عملکرد دیود تونلی | عملکرد دیود تونلی | عملکرد دیود تونلی | فیزیک الکترونیک | فیزیک الکترونیک | فیزیک الکترونیک | فیزیک الکترونیک | فیزیک حالت جامد | فیزیک حالت جامد | فیزیک حالت جامد | فیزیک حالت جامد | قیاس دو ترانزیستوری | قیاس دو ترانزیستوری | قیاس دو ترانزیستوری | قیاس دو ترانزیستوری | کریستالوگرافی Solid state physics | کریستالوگرافی Solid state physics | کریستالوگرافی Solid state physics | کریستالوگرافی Solid state physics | کنترل گیت | کنترل گیت | کنترل گیت | کنترل گیت | گالیم آرسناید | گالیم آرسناید | گالیم آرسناید | گالیم آرسناید | گیت ایزوله | گیت ایزوله | گیت ایزوله | گیت ایزوله | محدودیت های فرکانسی | محدودیت های فرکانسی | محدودیت های فرکانسی | محدودیت های فرکانسی | محدودیت های فرکانسی ترانزیستور ها | محدودیت های فرکانسی ترانزیستور ها | محدودیت های فرکانسی ترانزیستور ها | محدودیت های فرکانسی ترانزیستور ها | مخابرات نوری | مخابرات نوری | مخابرات نوری | مخابرات نوری | مدل دیود جفت شده | مدل دیود جفت شده | مدل دیود جفت شده | مدل دیود جفت شده | مقاومت | مقاومت | مقاومت | مقاومت | مقاومت بیس و تجمع در امیتر | مقاومت بیس و تجمع در امیتر | مقاومت بیس و تجمع در امیتر | مقاومت بیس و تجمع در امیتر | مواد نور افشان | مواد نور افشان | مواد نور افشان | مواد نور افشان | مواد نیمه هادی | مواد نیمه هادی | مواد نیمه هادی | مواد نیمه هادی | نویز و پهنای باند آشکار سازهای نوری | نویز و پهنای باند آشکار سازهای نوری | نویز و پهنای باند آشکار سازهای نوری | نویز و پهنای باند آشکار سازهای نوری | نیمه رسانا های تبهگن | نیمه رسانا های تبهگن | نیمه رسانا های تبهگن | نیمه رسانا های تبهگن | ورکتور | ورکتور | ورکتور | ورکتور | ولتاژ آستانه | ولتاژ آستانه | ولتاژ آستانه | ولتاژ آستانه | یک سوساز | یک سوساز | یک سوساز | یک سوساز
مشاهده بیشتر مشاهده کمتر
×
فهرست جلسات ۱۲ جلسه ویدئویی
×