تعداد دانشجو
۱۲۵ نفر
هزینه آموزش
۴۰,۰۰۰ تومان

آموزش فیزیک الکترونیک - بخش دوم

آموزش فیزیک الکترونیک - بخش دوم

تعداد دانشجو
۱۲۵ نفر
مدت زمان
۱۱ ساعت و ۱۳ دقیقه
هزینه آموزش
۴۰,۰۰۰ تومان
محتوای این آموزش
آموزش فیزیک الکترونیک - بخش دوم

چکیده

در این فرادرس سعی شده است که با استفاده از مفاهیم ارائه شده در فیزیک الکترونیک - بخش اول، نحوه عملکرد دیوایس های الکترونیکی و نحوه ساخت آن ها مورد بررسی قرار بگیرد. در این درس نیز مانند درس فیزیک الکترونیک مقدماتی، رویکردی مفهومی در نظر گرفته شده است تا دانشجو بتواند ضمن درک فیزیک حاکم بر دیوایس، معادلات را استخراج نماید. فراگیری این درس مهارت دانشجویان در طراحی مدارات و سیستم های الکترونیکی و مخابراتی را تا حد قابل ملاحظه ای بالا می برد، چرا که به صورت کامل بر عملکرد این سیستم ها احاطه پیدا می کنند. امروزه علم الکترونیک را می توان در ترانزیستورها و پیوندهای PN خلاصه کرد.

مدرس
سجاد وردست

دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق - میکرو و نانو الکترونیک

سجاد وردست در حال حاضر دانشجوی مقطع کارشناسی ارشد مهندسی برق در گرایش میکرو و نانو الکترونیک دانشگاه صنعتی شریف هستند. ایشان دارای سابقه تدریس در مقاطع مختلف کارشناسی ارشد، کارشناسی و دروس دبیرستانی می باشند.

چکیده آموزش


توضیحات تکمیلی

در این فرادرس سعی شده است که با استفاده از مفاهیم ارائه شده در فیزیک الکترونیک - بخش اول، نحوه عملکرد دیوایس های الکترونیکی و نحوه ساخت آن ها مورد بررسی قرار بگیرد. در این درس نیز مانند درس فیزیک الکترونیک مقدماتی، رویکردی مفهومی در نظر گرفته شده است تا دانشجو بتواند ضمن درک فیزیک حاکم بر دیوایس، معادلات را استخراج نماید.

فراگیری این درس مهارت دانشجویان در طراحی مدارات و سیستم های الکترونیکی و مخابراتی را تا حد قابل ملاحظه ای بالا می برد، چرا که به صورت کامل بر عملکرد این سیستم ها احاطه پیدا می کنند. امروزه علم الکترونیک را می توان در ترانزیستورها و پیوندهای PN خلاصه کرد. دلیل اهمیت این قطعات، توانایی است که آن ها به بشر دادند تا ریاضیات و کاربردهای آن را به صورت سخت افزاری پیاده سازی کند.

یکی دیگر از عوامل مهم گسترش این قطعات، قابلیت استفاده از آن ها به عنوان المان های مداری دیگر، از جمله: مقاومت و خازن است. کاربرد بسیار مهم دیگر این قطعات و مواد نیمه هادی در طراحی انواع حسگرها است. امروزه حسگرهای گازی، نوری، ارتعاشی و… با استفاده از این مواد و قطعات ساخته می شود. سلول های خورشیدی دیگر کاربرد مهم این قطعات است که امروزه نقش بسزایی در تامین انرژی مورد نیاز بشر دارند.

 

فهرست سرفصل ها و رئوس مطالب مطرح شده در این مجموعه آموزشی، در ادامه آمده است:
  • درس یکم: دیودهای پیوندی PN - بخش یکم
    • دیودهای پیوندی
      • یک سوسازها
      • دیودهای سوییچ کننده
      • دیود شکستی
      • دیود با ظرفیت متغیر، ورکتور (Varactor)
    • دیودهای تونلی
      • نیمه رسانا های تبهگن، Degenerate
      • عملکرد دیود تونلی
      • کاربردهای مداری
      • دیودهای نوری
  • درس دوم: دیودهای پیوندی PN - بخش دوم
    • جریان و ولتاژ در یک پیوند نور تابیده
    • سلول های خورشیدی
    • آشکارسازهای نوری
    • نویز و پهنای باند آشکارسازهای نوری
    • دیودهای نورافشان و لیزرها
      • مواد نورافشان
      • مخابرات نوری
      • پیوندهای ناهمگون چندلایه برای دیودهای نورافشان
    • تقویت و سوییچ کردن (مدل های کارکرد BJT)
      • خط بار
      • تقویت
      • سوییچ کردن
  • درس سوم: ترانزیستور دوقطبی پیوندی - بخش یکم
    • مبانی عملکردی ترانزیستور پیوندی دوقطبی (BJT)
      • انتقال بار در یک BJT
      • تقویت با BJT
      • ساخت BJT
    • توزیع بارهای اقلیت و جریان پایه های ترانزیستور
      • حل معادله نفوذ در منطقه بیس (Base)
  • درس چهارم: ترانزیستور دوقطبی پیوندی - بخش دوم
    • محاسبه جریان پایه های ترانزیستور
    • تقریب جریان پایه های ترانزیستور
    • نسبت انتقال جریان
    • گرایش در حالت کلی (مدار معادل)
      • مدل دیود جفت شده
      • تحلیل کنترل بار
  • درس پنجم: ترانزیستور دوقطبی پیوندی - بخش سوم
    • کلید زنی - سوییچ کردن
      • قطع
      • اشباع
      • چرخه قطع و وصل
      • حالت گذرای وصل
      • حالت گذرای قطع
      • دیود شاتکی کران بند
      • مشخصات ترانزیستورهای سوییچ کننده
    • آثار ثانویه (اثرات غیرایده آل)
      • رانش در ناحیه بیس
      • باریک شدن بیس
      • شکست بهمنی
      • سطح تزریق، آثار گرمایی
      • مقاومت بیس و تجمع در امیتر (Emitter)
  • درس ششم: ترانزیستور دوقطبی پیوندی - بخش چهارم
    • محدودیت های فرکانسی ترانزیستورها
      • ظرفیت و زمان های شارژ
      • اثر زمان گذر
      • ترانزیستورهای فرکانس بالا
      • ترانزیستورهای دوقطبی با پیوند ناهمگون
  • درس هفتم: ترانزیستورهای اثر میدانی - بخش یکم
    • ترانزیستورهای اثر میدانی پیوندی (خانواده های FET)
      • تنگش و اشباع
      • کنترل گیت
      • مشخصه جریان ولتاژ
    • ترانزیستورهای اثر میدانی فلز نیمه رسانا
      • ترانزیستورهای اثر میدانی فلز نیمه رسانای گالیم آرسناید (Gallium Arsenide)
      • ترانزیستورهای با تحرک الکترونی زیاد (HEMT)
  • درس هشتم: ترانزیستورهای اثر میدانی - بخش دوم
    • آثار کانال کوتاه
    • ترانزیستورهای اثر میدانی فلز - عایق - نیمه رسانا
      • اصول عملکرد
  • درس نهم: ترانزیستورهای اثر میدانی - بخش سوم
    • خازن فلز - عایق - نیمه رسانای ایده آل (خازن فلز اکسید نیمه هادی)
    • آثار سطوح واقعی
    • ولتاژ آستانه
    • ترانزیستورهای اثر میدانی فلز - عایق - نیمه رسانا (MOSFET)
  • درس دهم: ترانزیستورهای اثر میدانی - بخش چهارم
    • کنترل ولتاژ آستانه
    • اثر گرایش بستر
    • آثار ظرفیتی و ترانزیستورهای خود هم راستا
    • آثار کانال کوتاه
    • مکانیزم های سوییچ کردن (دیود چهار لایه)
  • درس یازدهم: قطعات سوییچ کننده PNPN (ادوات قدرت)
    • دیود PNPN
    • قیاس دوترانزیستوری
    • مدار
    • تغییر آلفا با تزریق
    • حالت سدکنندگی مستقیم
    • حالت هدایت کنندگی
    • مکانیزم های راه اندازی
    • یک سوساز نیمه هادی کنترل شونده (SCR)
      • کنترل گیت
      • خاموش کردن SCR
      • قطعات دوطرفه
      • ساخت و کاربردها
    • تریاک (Triac)
    • ترانزیستور دوطبی با گیت ایزوله (IGBT)
 

 

مفید برای رشته های
  • مهندسی برق
مشاهده بیشتر مشاهده کمتر

آنچه در این آموزش خواهید دید:

آموزش ویدئویی مورد تائید فرادرس
فایل PDF یادداشت‌ های ارائه مدرس



پیش نمایش‌ها

۱. دیودهای پیوندی PN - بخش یکم

توجه: اگر به خاطر سرعت اینترنت، کیفیت نمایش پایین‌تر از کیفیت HD ویدئو اصلی باشد؛ می‌توانید ویدئو را دانلود و مشاهده کنید (دانلود پیش‌نمایش - حجم: ۱۵ مگابایت -- (کلیک کنید +))

۲. دیودهای پیوندی PN - بخش دوم

توجه: اگر به خاطر سرعت اینترنت، کیفیت نمایش پایین‌تر از کیفیت HD ویدئو اصلی باشد؛ می‌توانید ویدئو را دانلود و مشاهده کنید (دانلود پیش‌نمایش - حجم: ۱۲ مگابایت -- (کلیک کنید +))

۳. ترانزیستور دوقطبی پیوندی - بخش یکم

توجه: اگر به خاطر سرعت اینترنت، کیفیت نمایش پایین‌تر از کیفیت HD ویدئو اصلی باشد؛ می‌توانید ویدئو را دانلود و مشاهده کنید (دانلود پیش‌نمایش - حجم: ۶۰ مگابایت -- (کلیک کنید +))

۴. ترانزیستور دوقطبی پیوندی - بخش دوم

توجه: اگر به خاطر سرعت اینترنت، کیفیت نمایش پایین‌تر از کیفیت HD ویدئو اصلی باشد؛ می‌توانید ویدئو را دانلود و مشاهده کنید (دانلود پیش‌نمایش - حجم: ۹ مگابایت -- (کلیک کنید +))

۵. ترانزیستور دوقطبی پیوندی - بخش سوم
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
۶. ترانزیستور دوقطبی پیوندی - بخش چهارم
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
۷. ترانزیستورهای اثر میدانی - بخش یکم
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
۸. ترانزیستورهای اثر میدانی - بخش دوم
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
۹. ترانزیستورهای اثر میدانی - بخش سوم
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
۱۰. ترانزیستورهای اثر میدانی - بخش چهارم
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
۱۱. قطعات سوییچ کننده PNPN (ادوات قدرت)
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.

راهنمای سفارش آموزش‌ها

آیا می دانید که تهیه یک آموزش از فرادرس و شروع یادگیری چقدر ساده است؟

(راهنمایی بیشتر +)

در مورد این آموزش یا نحوه تهیه آن سوالی دارید؟
  • با شماره تلفن واحد مخاطبین ۵۷۹۱۶۰۰۰ (پیش شماره ۰۲۱) تماس بگیرید. - تمام ساعات اداری
  • با ما مکاتبه ایمیلی داشته باشید (این لینک). - میانگین زمان پاسخ دهی: ۳۰ دقیقه


اطلاعات تکمیلی

نام آموزش آموزش فیزیک الکترونیک - بخش دوم
ناشر فرادرس
شناسه اثر ۸–۱۲۴۵۲–۰۷۴۹۱۵ (ثبت شده در مرکز رسانه‌های دیجیتال وزارت ارشاد)
کد آموزش FVTIEE124
مدت زمان ۱۱ ساعت و ۱۳ دقیقه
زبان فارسی
نوع آموزش آموزش ویدیویی (لینک دانلود)
حجم دانلود ۵۱۸ مگابایت (کیفیت ویدئو HD‌ با فشرده سازی انحصاری فرادرس)


نظرات

تا کنون ۱۲۵ نفر از این آموزش استفاده کرده اند و هنوز هیچ نظری ثبت نشده است.

برچسب‌ها:
BJT | Crystallography | Degenerate | Dipole transistor | Gallium arsenide | HEMT | IGBT | Industrial electronics | MOSFET transistor | PN bonding | PNPN | Power electronics | TRIAC | Varactor | آثار گرمایی | آشکار سازهای نوری | اثر گرایش بستر | الکترونیک صنعتی | الکترونیک قدرت | المان های مداری | انتقال بار در یک BJT | باریک شدن بیس | پیوند PN | پیوند های PN | ترانزیستور پیوندی دو قطبی | ترانزیستور دو قطبی | ترانزیستور ماسفت | ترانزیستورها | ترانزیستورهای با تحرک الکترونی زیاد | ترانزیستورهای پیوندی دوقطبی | ترانزیستورهای فرکانس بالا | تریاک | تقریب جریان پایه ترانزیستور | تقویت | تنگش و اشباع | حسگرهای ارتعاشی | حسگرهای گازی | حسگرهای نوری | خازن | خاموش کردن SCR | خط بار | دیوایس های الکترونیکی | دیود PNPN | دیود با ظرفیت متغیر | دیود شاتکی کران بند | دیود شکستی | دیود های پیوندی PN | دیودهای پیوندی | دیودهای تونلی | دیودهای سوییچ کننده | دیودهای نور افشان و لیزرها | دیودهای نوری | رانش در ناحیه بیس | سطح تزریق | سلول های خورشیدی | سوییچ کردن | سیستم های الکترونیکی | سیستم های مخابراتی | شکست بهمنی | طراحی مدار | علم الکترونیک | عملکرد دیود تونلی | فیزیک الکترونیک | فیزیک حالت جامد | قیاس دو ترانزیستوری | کریستالوگرافی Solid state physics | کنترل گیت | گالیم آرسناید | گیت ایزوله | محدودیت های فرکانسی | محدودیت های فرکانسی ترانزیستور ها | مخابرات نوری | مدل دیود جفت شده | مقاومت | مقاومت بیس و تجمع در امیتر | مواد نور افشان | مواد نیمه هادی | نویز و پهنای باند آشکار سازهای نوری | نیمه رسانا های تبهگن | ورکتور | ولتاژ آستانه | یک سوساز
مشاهده بیشتر مشاهده کمتر