فرادرس
هزینه آموزش
۴۹,۰۰۰ تومان

آموزش الکترونیک دیجیتال (مرور و حل مساله)

آموزش الکترونیک دیجیتال (مرور و حل مساله)

تعداد دانشجو
۴۵ نفر
مدت زمان
۱۷ ساعت و ۱۰ دقیقه
هزینه آموزش
۴۹,۰۰۰ تومان
محتوای این آموزش
(توضیحات)
آموزش الکترونیک دیجیتال (مرور و حل مساله)

چکیده

در این فرادرس در ابتدا مقدمه ای برای آشنایی با مدارات مجتمع دیجیتال ارائه می کنیم و در ادامه، درباره فیزیک الکترونیک و پیوند PN و دیودها بحث می کنیم. سپس وارد بحث معرفی ترانزیستورها شده و پس از آن به تکمیل مباحث پایه ای با روش های طراحی مدارات منطقی و مجتمع دیجیتال می پردازیم و در نهایت، مدارات ترکیبی در منطق CMOS و طراحی و چینش مدارات مجتمع را نیز مورد بحث و بررسی قرار می دهیم.

مدرس
منوچهر بابایی

کارشناس ارشد مهندسی کامپیوتر - نرم افزار

مهندس منوچهر بابایی، کارشناس ارشد مهندسی کامپیوتر - نرم افزار با زمینه تحقیقاتی هوش مصنوعی هستند. ایشان سابقه آموزشی زیادی در تدریس دروس دانشگاهی رشته مهندسی کامپیوتر و فناوری اطلاعات دارند و در این زمینه کتاب‌ هایی برای دروس معماری کامپیوتر و ساختمان گسسته تالیف نموده‌اند. ایشان بر زبان‌ های برنامه نویسی سی، سی پلاس پلاس، سی شارپ، جاوا و متلب تسلط داشته و در مراکز آموزشی معتبر در این موضوعات تدریس نموده اند.

چکیده آموزش


توضیحات تکمیلی

درس الکترونیک دیجیتال یکی از دروس مهم و در عین حال جالب در رشته مهندسی کامپیوتر است که به نحوه طراحی مدارات دیجیتال با استفاده از واحدهای ترانزیستور می پردازد و همچنین نحوه چینش و طراحی بهینه این مدارات از مباحث پایه ای این درس به شمار می رود. این آموزش مبتنی بر حل مسائل متنوع است و تمام دانشجویان و داوطلبان آزمون های مختلف می توانند از آن استفاده نمایند.

در این فرادرس در ابتدا مقدمه ای برای آشنایی با مدارات مجتمع دیجیتال ارائه می کنیم و در ادامه، درباره فیزیک الکترونیک و پیوند PN و دیودها بحث می کنیم. سپس وارد بحث معرفی ترانزیستورها شده و پس از آن به تکمیل مباحث پایه ای با روش های طراحی مدارات منطقی و مجتمع دیجیتال می پردازیم و در نهایت، مدارات ترکیبی در منطق CMOS و طراحی و چینش مدارات مجتمع را نیز مورد بحث و بررسی قرار می دهیم.

 

فهرست سرفصل ها و رئوس مطالب مطرح شده در این مجموعه آموزشی، در ادامه آمده است:
  • درس یکم: فیزیک الکترونیک و نیمه هادی ها
    • ساختار مواد نیمه هادی
    • باندهای انرژی
    • ناخالص سازی مواد نیمه هادی – غلظت حامل ها
    • نحوه حرکت حامل ها
  • درس دوم: پیوند PN - دیود
    • معرفی پیوند PN
    • ناحیه تخلیه و Built-in Potential
    • محاسبه میدان الکتریکی در ناحیه تخلیه
    • پهنای باند ناحیه تخلیه
    • رابطه جریان دیود
    • مدل دیود در حالت ساده
  • درس سوم: مدارات DRL
  • درس چهارم: ترانزیستورهای پیوندی دوقطبی (BJT)
    • ساختار ترانزیستورهای BJT
    • مدل های کاری ترانزیستور BJT
      • فعالیت در ناحیه قطع (Cutoff)
      • فعالیت در ناحیه فعال معکوس (Reverse Active)
      • فعالیت در ناحیه اشباع (Saturation)
    • مدل Ebers-Moll
  • درس پنجم: مدارات RTL و منطق RTL
    • قابلیت اطمینان در مدارات منطقی
    • حاشیه امن نویز
    • مشخصه انتقال ولتاژ
    • Fan-out و Fan-in
    • تاخیر در مدارات دیجیتال
  • درس ششم: طراحی مدارت منطقی در منطق DRL و RTL
  • درس هفتم: طراحی مدارات منطقی در منطق DTL
  • درس هشتم: طراحی مدارات منطقی در منطق TTL
  • درس نهم: ترانزیستورهای MOSFET
    • ساختار ترانزیستورهای اثر میدان (FET)
    • ایجاد کانال عبور جریان
    • ولتاژ آستانه MOSFET
  • درس دهم: چگونگی عملکرد MOSFET در مدار
    • مروری بر عملکرد ترانزیستور NMOS و PMOS
    • تحلیل معادله جریان و ولتاژ در ترانزیستورهای MOS
    • نواحی کاری ترانزیستور MOSFET و روابط
    • مدلاسیون طول کانال
    • عملکرد ترانزیستورهای MOS به عنوان کلید
  • درس یازدهم: معکوس‌ کننده‌ های MOSFET - بخش یکم
    • معکوس کننده ایده ال
    • معکوس کننده NMOS با بار مقاومتی
    • نواحی کاری معکوس کننده با بار مقاومتی
  • درس دوازدهم: معکوس ‌کننده‌ های MOSFET - بخش دوم
    • معکوس کننده NMOS با بار افزایشی
    • مشخصه انتقالی معکوس کننده NMOS با بار افزایشی
    • معکوس کننده NMOS با بار تخلیه ای
  • درس سیزدهم: معکوس کننده CMOS - اشمیت تریگر
    • معکوس کننده CMOS
  • درس چهاردهم: معکوس ‌کننده‌ شبه NMOS - اشمیت تریگر
    • معکوس کننده شبه NMOS
    • اشمیت تریگر (Schmitt trigger)
  • درس پانزدهم: طراحی مدارات ترکیبی در منطق MOS
    •  گیت های منطقی NMOS با بار مقاومتی
  • درس شانزدهم: طراحی مدارات ترکیبی در منطق CMOS - بخش یکم
    • رسم مدارات منطقی ترکیبی در منطق CMOS
      • رسم مدار از روی تابع منطقی
      • به دست آوردن تابع منطقی مطابق مدار
  • درس هفدهم: طراحی مدارات ترکیبی در منطق CMOS - بخش دوم
    • توان در مدارات CMOS
    • طراحی مدارات در منطق Pseudo NMOS
  • درس هجدهم: طراحی مدارات در منطق شبه NMOS و منطق تفاضلی
    • طراحی مدارات با سوئیچ آبشاری ولتاژ تفاضلی

 

مفید برای رشته های
  • مهندسی کامپیوتر - تمام گرایش ها
  • مهندسی برق - الکترونیک

آنچه در این آموزش خواهید دید:

آموزش ویدئویی مورد تائید فرادرس
فایل PDF یادداشت‌ های ارائه مدرس



پیش نمایش‌ها

پیش‌نمایش ۱: فیزیک الکترونیک و نیمه هادی ها

توجه: اگر به خاطر سرعت اینترنت، کیفیت نمایش پایین‌تر از کیفیت HD ویدئو اصلی باشد؛ می‌توانید ویدئو را دانلود و مشاهده کنید (دانلود پیش‌نمایش - حجم: ۹ مگابایت -- (کلیک کنید +))

پیش‌نمایش ۲: پیوند PN - دیودها

توجه: اگر به خاطر سرعت اینترنت، کیفیت نمایش پایین‌تر از کیفیت HD ویدئو اصلی باشد؛ می‌توانید ویدئو را دانلود و مشاهده کنید (دانلود پیش‌نمایش - حجم: ۱۴ مگابایت -- (کلیک کنید +))

پیش‌نمایش ۳: مدارات DRL

توجه: اگر به خاطر سرعت اینترنت، کیفیت نمایش پایین‌تر از کیفیت HD ویدئو اصلی باشد؛ می‌توانید ویدئو را دانلود و مشاهده کنید (دانلود پیش‌نمایش - حجم: ۱۴ مگابایت -- (کلیک کنید +))

پیش‌نمایش ۴: ترانزیستورهای پیوند دوقطبی (BJT)

توجه: اگر به خاطر سرعت اینترنت، کیفیت نمایش پایین‌تر از کیفیت HD ویدئو اصلی باشد؛ می‌توانید ویدئو را دانلود و مشاهده کنید (دانلود پیش‌نمایش - حجم: ۱۴ مگابایت -- (کلیک کنید +))

پیش‌نمایش ۵: مدارات RTL و منطق RTL
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
پیش‌نمایش ۶: طراحی مدارت منطقی در منطق DRL و RTL
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
پیش‌نمایش ۷: طراحی مدارات منطقی در منطق DTL
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
پیش‌نمایش ۸: طراحی مدارات منطقی در منطق TTL
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
پیش‌نمایش ۹: ترانزیستورهای MOSFET
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
پیش‌نمایش ۱۰: چگونگی عملکرد MOSFET در مدار
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
پیش‌نمایش ۱۱: معکوس کننده های MOSFET – بخش یکم
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
پیش‌نمایش ۱۲: معکوس کننده هایMOSFET – بخش دوم
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
پیش‌نمایش ۱۳: معکوس کننده‌ CMOS – اشمیت تریگر
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
پیش‌نمایش ۱۴: معکوس کننده‌ شبه NMOS - اشمیت تریگر
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
پیش‌نمایش ۱۵: طراحی مدارات ترکیبی در منطق MOS
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
پیش‌نمایش ۱۶: طراحی مدارات ترکیبی در منطق CMOS – بخش یکم
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
پیش‌نمایش ۱۷: طراحی مدارات ترکیبی در منطق CMOS – بخش دوم
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
پیش‌نمایش ۱۸: طراحی مدارات در منطق شبه NMOS و منطق تفاضلی
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.

راهنمای تهیه آموزش ها

آیا می دانید که تهیه یک آموزش از فرادرس و شروع یادگیری چقدر ساده است؟

راهنمایی بیشتر ( +)

در مورد این آموزش یا نحوه تهیه آن سوالی دارید؟
  • با شماره تلفن واحد مخاطبین ۵۷۹۱۶۰۰۰ (پیش شماره ۰۲۱) تماس بگیرید. - تمام ساعات اداری
  • با ما مکاتبه ایمیلی داشته باشید (این لینک). - میانگین زمان پاسخ دهی: ۳۰ دقیقه


اطلاعات تکمیلی

نام آموزش آموزش الکترونیک دیجیتال (مرور و حل مساله)
ناشر فرادرس
کد آموزش FVEEE9703
مدت زمان ۱۷ ساعت و ۱۰ دقیقه
زبان فارسی
نوع آموزش آموزش ویدئویی     (کیفیت HD - مورد تایید فنی فرادرس)
حجم دانلود ۱۱۰۵ مگابایت     (کیفیت ویدئو HD‌ با فشرده سازی انحصاری فرادرس)

برچسب‌ها: BJT transistor | Built in potential | CMOS | diode -resistor logic | diode-transistor logic | dtl | electronic digital | logical circuit | MOSFET | NMOS | PDP | PMOS | pseudo nmos | RTL | Saturation | Schmitt trigger | transistor diode | TTL | الکترونیک دیجیتال | پهنای باند ناحیه تخلیه | پیوند PN | تاخیر در مدارات دیجیتال | ترانزیستور | ترانزیستور NMOS | ترانزیستور PMOS | ترانزیستور پیوندی | ترانزیستور ماسفت | ترانزیستورهای BJT | ترانزیستورهای MOS | ترانزیستورهای پیوندی دوقطبی | توابع منطقی | خازن MOS | خازن ناحیه پیوند در دیود | دیود | رابطه جریان دیود | ساختار ترانزیستورهای BJT | گیت NAND | گیت NOR | گیت های منطقی NMOS با بار مقاومتی | محاسبه میدان الکتریکی در ناحیه تخلیه | مدارات ترکیبی | مدارات ترکیبی در منطق MOS | مدارات مجتمع دیجیتال | مدارات منطقی | مدل Ebers-Moll | مدل دیود در حالت ساده | مدلاسیون طول کانال | مراحل ساخت گیت های منطقی | مشخصه انتقالی معکوس کننده NMOS با بار افزایشی | مشخصه های انتقال ولتاژ | معکوس کننده NMOS با بار افزایشی | معکوس کننده NMOS با بار تخلیه ای | معکوس کننده NMOS با بار مقاومتی | معکوس کننده شبه NMOS | معکوس ‌کننده‌ های MOSFET | منطق CMOS | منطق DRL | منطق DTL | منطق Pseudo NMOS | منطق PTL | منطق RTL | منطق TTL | منطق تفاضلی | منطق دیود-ترانزیستور | منطق دیود-مقاومت | منطق شبه nmos | منطقی ترانزیستور-ترانزیستور | ناخالص سازی مواد نیمه هادی | نحوه حرکت حامل ها | نواحی کاری ترانزیستور MOSFET | نواحی کاری معکوس کننده با بار مقاومتی | نویز در سطوح منطقی