×
۵۱,۰۰۰ تومان ۳۰,۶۰۰ تومان

آموزش الکترونیک دیجیتال (مرور و حل مساله)

آموزش الکترونیک دیجیتال (مرور و حل مساله)

تعداد دانشجو
۱۵۸ نفر
مدت زمان
۱۷ ساعت و ۱۰ دقیقه
هزینه عادی آموزش
۵۱,۰۰۰ تومان
در طرح تخفیف
۳۰,۶۰۰ تومان

(کسب اطلاعات بیشتر +)
محتوای این آموزش
آموزش الکترونیک دیجیتال (مرور و حل مساله)

در این فرادرس در ابتدا مقدمه ای برای آشنایی با مدارات مجتمع دیجیتال ارائه می کنیم و در ادامه، درباره فیزیک الکترونیک و پیوند PN و دیودها بحث می کنیم. سپس وارد بحث معرفی ترانزیستورها شده و پس از آن به تکمیل مباحث پایه ای با روش های طراحی مدارات منطقی و مجتمع دیجیتال می پردازیم و در نهایت، مدارات ترکیبی در منطق CMOS و طراحی و چینش مدارات مجتمع را نیز مورد بحث و بررسی قرار می دهیم.

آموزش الکترونیک دیجیتال (مرور و حل مساله)

تعداد دانشجو
۱۵۸ نفر
مدت زمان
۱۷ ساعت و ۱۰ دقیقه
هزینه عادی آموزش
۵۱,۰۰۰ تومان
در طرح تخفیف
۳۰,۶۰۰ تومان

(کسب اطلاعات بیشتر +)
محتوای این آموزش
مدرس
منوچهر بابایی

کارشناس ارشد مهندسی کامپیوتر - نرم افزار

مهندس منوچهر بابایی، کارشناس ارشد مهندسی کامپیوتر - نرم افزار با زمینه تحقیقاتی هوش مصنوعی هستند. ایشان سابقه آموزشی زیادی در تدریس دروس دانشگاهی رشته مهندسی کامپیوتر و فناوری اطلاعات دارند و در این زمینه کتاب‌ هایی برای دروس معماری کامپیوتر و ساختمان گسسته تالیف نموده‌اند. ایشان بر زبان‌ های برنامه نویسی سی، سی پلاس پلاس، سی شارپ، جاوا و متلب تسلط داشته و در مراکز آموزشی معتبر در این موضوعات تدریس نموده اند.

چکیده آموزش


توضیحات تکمیلی

درس الکترونیک دیجیتال یکی از دروس مهم و در عین حال جالب در رشته مهندسی کامپیوتر است که به نحوه طراحی مدارات دیجیتال با استفاده از واحدهای ترانزیستور می پردازد و همچنین نحوه چینش و طراحی بهینه این مدارات از مباحث پایه ای این درس به شمار می رود. این آموزش مبتنی بر حل مسائل متنوع است و تمام دانشجویان و داوطلبان آزمون های مختلف می توانند از آن استفاده نمایند.

در این فرادرس در ابتدا مقدمه ای برای آشنایی با مدارات مجتمع دیجیتال ارائه می کنیم و در ادامه، درباره فیزیک الکترونیک و پیوند PN و دیودها بحث می کنیم. سپس وارد بحث معرفی ترانزیستورها شده و پس از آن به تکمیل مباحث پایه ای با روش های طراحی مدارات منطقی و مجتمع دیجیتال می پردازیم و در نهایت، مدارات ترکیبی در منطق CMOS و طراحی و چینش مدارات مجتمع را نیز مورد بحث و بررسی قرار می دهیم.

فهرست سرفصل ها و رئوس مطالب مطرح شده در این مجموعه آموزشی، در ادامه آمده است:
  • درس یکم: فیزیک الکترونیک و نیمه هادی ها
    • ساختار مواد نیمه هادی
    • باندهای انرژی
    • ناخالص سازی مواد نیمه هادی – غلظت حامل ها
    • نحوه حرکت حامل ها
  • درس دوم: پیوند PN - دیود
    • معرفی پیوند PN
    • ناحیه تخلیه و Built-in Potential
    • محاسبه میدان الکتریکی در ناحیه تخلیه
    • پهنای باند ناحیه تخلیه
    • رابطه جریان دیود
    • مدل دیود در حالت ساده
  • درس سوم: مدارات DRL
  • درس چهارم: ترانزیستورهای پیوندی دوقطبی (BJT)
    • ساختار ترانزیستورهای BJT
    • مدل های کاری ترانزیستور BJT
      • فعالیت در ناحیه قطع (Cutoff)
      • فعالیت در ناحیه فعال معکوس (Reverse Active)
      • فعالیت در ناحیه اشباع (Saturation)
    • مدل Ebers-Moll
  • درس پنجم: مدارات RTL و منطق RTL
    • قابلیت اطمینان در مدارات منطقی
    • حاشیه امن نویز
    • مشخصه انتقال ولتاژ
    • Fan-out و Fan-in
    • تاخیر در مدارات دیجیتال
  • درس ششم: طراحی مدارت منطقی در منطق DRL و RTL
  • درس هفتم: طراحی مدارات منطقی در منطق DTL
  • درس هشتم: طراحی مدارات منطقی در منطق TTL
  • درس نهم: ترانزیستورهای MOSFET
    • ساختار ترانزیستورهای اثر میدان (FET)
    • ایجاد کانال عبور جریان
    • ولتاژ آستانه MOSFET
  • درس دهم: چگونگی عملکرد MOSFET در مدار
    • مروری بر عملکرد ترانزیستور NMOS و PMOS
    • تحلیل معادله جریان و ولتاژ در ترانزیستورهای MOS
    • نواحی کاری ترانزیستور MOSFET و روابط
    • مدلاسیون طول کانال
    • عملکرد ترانزیستورهای MOS به عنوان کلید
  • درس یازدهم: معکوس‌ کننده‌ های MOSFET - بخش یکم
    • معکوس کننده ایده ال
    • معکوس کننده NMOS با بار مقاومتی
    • نواحی کاری معکوس کننده با بار مقاومتی
  • درس دوازدهم: معکوس ‌کننده‌ های MOSFET - بخش دوم
    • معکوس کننده NMOS با بار افزایشی
    • مشخصه انتقالی معکوس کننده NMOS با بار افزایشی
    • معکوس کننده NMOS با بار تخلیه ای
  • درس سیزدهم: معکوس کننده CMOS - اشمیت تریگر
    • معکوس کننده CMOS
  • درس چهاردهم: معکوس ‌کننده‌ شبه NMOS - اشمیت تریگر
    • معکوس کننده شبه NMOS
    • اشمیت تریگر (Schmitt trigger)
  • درس پانزدهم: طراحی مدارات ترکیبی در منطق MOS
    • گیت های منطقی NMOS با بار مقاومتی
  • درس شانزدهم: طراحی مدارات ترکیبی در منطق CMOS - بخش یکم
    • رسم مدارات منطقی ترکیبی در منطق CMOS
      • رسم مدار از روی تابع منطقی
      • به دست آوردن تابع منطقی مطابق مدار
  • درس هفدهم: طراحی مدارات ترکیبی در منطق CMOS - بخش دوم
    • توان در مدارات CMOS
    • طراحی مدارات در منطق Pseudo NMOS
  • درس هجدهم: طراحی مدارات در منطق شبه NMOS و منطق تفاضلی
    • طراحی مدارات با سوئیچ آبشاری ولتاژ تفاضلی

مفید برای رشته های
  • مهندسی کامپیوتر - تمام گرایش ها
  • مهندسی برق - الکترونیک
مشاهده بیشتر مشاهده کمتر

آنچه در این آموزش خواهید دید:

آموزش ویدئویی مورد تائید فرادرس
فایل PDF یادداشت‌ های ارائه مدرس



پیش نمایش‌ها

۱. فیزیک الکترونیک و نیمه هادی ها

توجه: اگر به خاطر سرعت اینترنت، کیفیت نمایش پایین‌تر از کیفیت HD ویدئو اصلی باشد؛ می‌توانید ویدئو را دانلود و مشاهده کنید (دانلود پیش‌نمایش - حجم: ۹ مگابایت -- (کلیک کنید +))

۲. پیوند PN - دیودها

توجه: اگر به خاطر سرعت اینترنت، کیفیت نمایش پایین‌تر از کیفیت HD ویدئو اصلی باشد؛ می‌توانید ویدئو را دانلود و مشاهده کنید (دانلود پیش‌نمایش - حجم: ۱۴ مگابایت -- (کلیک کنید +))

۳. مدارات DRL

توجه: اگر به خاطر سرعت اینترنت، کیفیت نمایش پایین‌تر از کیفیت HD ویدئو اصلی باشد؛ می‌توانید ویدئو را دانلود و مشاهده کنید (دانلود پیش‌نمایش - حجم: ۱۴ مگابایت -- (کلیک کنید +))

۴. ترانزیستورهای پیوند دوقطبی (BJT)

توجه: اگر به خاطر سرعت اینترنت، کیفیت نمایش پایین‌تر از کیفیت HD ویدئو اصلی باشد؛ می‌توانید ویدئو را دانلود و مشاهده کنید (دانلود پیش‌نمایش - حجم: ۱۴ مگابایت -- (کلیک کنید +))

۵. مدارات RTL و منطق RTL
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
۶. طراحی مدارت منطقی در منطق DRL و RTL
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
۷. طراحی مدارات منطقی در منطق DTL
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
۸. طراحی مدارات منطقی در منطق TTL
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
۹. ترانزیستورهای MOSFET
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
۱۰. چگونگی عملکرد MOSFET در مدار
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
۱۱. معکوس کننده های MOSFET – بخش یکم
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
۱۲. معکوس کننده هایMOSFET – بخش دوم
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
۱۳. معکوس کننده‌ CMOS – اشمیت تریگر
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
۱۴. معکوس کننده‌ شبه NMOS - اشمیت تریگر
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
۱۵. طراحی مدارات ترکیبی در منطق MOS
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
۱۶. طراحی مدارات ترکیبی در منطق CMOS – بخش یکم
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
۱۷. طراحی مدارات ترکیبی در منطق CMOS – بخش دوم
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.
۱۸. طراحی مدارات در منطق شبه NMOS و منطق تفاضلی
مشاهده این پیش‌نمایش، نیازمند عضویت و ورود به سایت (+) است.

راهنمای سفارش آموزش‌ها

آیا می دانید که تهیه یک آموزش از فرادرس و شروع یادگیری چقدر ساده است؟

(راهنمایی بیشتر +)

در مورد این آموزش یا نحوه تهیه آن سوالی دارید؟
  • با شماره تلفن واحد مخاطبین ۵۷۹۱۶۰۰۰ (پیش شماره ۰۲۱) تماس بگیرید. - تمام ساعات اداری
  • با ما مکاتبه ایمیلی داشته باشید (این لینک). - میانگین زمان پاسخ دهی: ۳۰ دقیقه


اطلاعات تکمیلی

نام آموزش آموزش الکترونیک دیجیتال (مرور و حل مساله)
ناشر فرادرس
شناسه اثر ۸–۱۲۴۵۲–۰۷۶۶۷۹ (ثبت شده در مرکز رسانه‌های دیجیتال وزارت ارشاد)
کد آموزش FVEEE9703
مدت زمان ۱۷ ساعت و ۱۰ دقیقه
زبان فارسی
نوع آموزش آموزش ویدئویی (لینک دانلود)
حجم دانلود ۱۱۰۵ مگابایت (کیفیت ویدئو HD‌ با فشرده سازی انحصاری فرادرس)


نظرات

تا کنون ۱۵۸ نفر از این آموزش استفاده کرده اند و هنوز هیچ نظری ثبت نشده است.

برچسب‌ها:
BJT transistor | Built in potential | CMOS | diode -resistor logic | diode-transistor logic | dtl | electronic digital | logical circuit | MOSFET | NMOS | PDP | PMOS | pseudo nmos | RTL | Saturation | Schmitt trigger | transistor diode | TTL | الکترونیک دیجیتال | پهنای باند ناحیه تخلیه | پیوند PN | تاخیر در مدارات دیجیتال | ترانزیستور | ترانزیستور NMOS | ترانزیستور PMOS | ترانزیستور پیوندی | ترانزیستور ماسفت | ترانزیستورهای BJT | ترانزیستورهای MOS | ترانزیستورهای پیوندی دوقطبی | توابع منطقی | خازن MOS | خازن ناحیه پیوند در دیود | دیود | رابطه جریان دیود | ساختار ترانزیستورهای BJT | گیت NAND | گیت NOR | گیت های منطقی NMOS با بار مقاومتی | محاسبه میدان الکتریکی در ناحیه تخلیه | مدارات ترکیبی | مدارات ترکیبی در منطق MOS | مدارات مجتمع دیجیتال | مدارات منطقی | مدل Ebers-Moll | مدل دیود در حالت ساده | مدلاسیون طول کانال | مراحل ساخت گیت های منطقی | مشخصه انتقالی معکوس کننده NMOS با بار افزایشی | مشخصه های انتقال ولتاژ | معکوس کننده NMOS با بار افزایشی | معکوس کننده NMOS با بار تخلیه ای | معکوس کننده NMOS با بار مقاومتی | معکوس کننده شبه NMOS | معکوس ‌کننده‌ های MOSFET | منطق CMOS | منطق DRL | منطق DTL | منطق Pseudo NMOS | منطق PTL | منطق RTL | منطق TTL | منطق تفاضلی | منطق دیود-ترانزیستور | منطق دیود-مقاومت | منطق شبه nmos | منطقی ترانزیستور-ترانزیستور | ناخالص سازی مواد نیمه هادی | نحوه حرکت حامل ها | نواحی کاری ترانزیستور MOSFET | نواحی کاری معکوس کننده با بار مقاومتی | نویز در سطوح منطقی
مشاهده بیشتر مشاهده کمتر
فهرست جلسات ۱۹ جلسه ویدئویی ×